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AS3635
Datasheet - E l e c t r i c a l C h a r a c t e r i s t i c s
6 Electrical Characteristics
V VBAT = +2.51V to +5.5V, T AMB = -30oC to +85oC, unless otherwise specified. Typical values are at V VBAT = +3.6V,
T AMB = +25oC, unless otherwise specified.
Table 3. Electrical Characteristics
Symbol
Parameter
Condition
Min
Typ
Max
Unit
General Operating Conditions
V VBAT
T AMB
I SHUTDOWN
Supply Voltage
Operating
Temperature
Shutdown Current
CHARGE = 0, charge pump OFF, FLASH = 0
T AMB <50oC; V VBAT <3.7V
1
2.51
-30
3.6
25
0.5
5.5
85
1.0
V
oC
μA
V UVLO
Undervoltage Lockout
Measured on pin VBAT
2.3
2.5
V
V FLASH Capacitor Charger
V TRIP
Comparator trip
voltage
V(SW) - V(VBAT) in circuit adjustable with
OTP. T AMB = 0°C to 50°C; only if V TRIP is
trimmed by austriamicrosystems
31.9
32.4
32.9
V
5 bit programming 32.4V -11.2%/+10.5%;
V TRIPRANGE
Programming range of
V TRIP
measured on pin SW
Allows in-circuit trimming of the final charged
29.6
35.8
V
voltage V FLASH on capacitor C FLASH
V SW
Maximum voltage on
pin SW
50
V
I SW
R SW
Switching current limit
Switch on resistance
Internal transistor between SW and PGND
0.75
0.9
0.4
1.05
A
Ω
t EOC_DET
end of charge comparator trigger time - see
Internal Circuit on page 8
128
138
148
ns
Charge Pump Parameters
V V5V
I CHRG_PUMP
5V Charge pump
output voltage
Charge Pump
Operating Current
5.25 > V VBAT > 2.7V
2.7V > V VBAT > 2.51V
CHARGE= 0->1->0 (20 seconds timer
2
running ), charge pump ON
includes 48μA for internal biasing and oscillator
4.75
4.3
5.0
163
5.25
5.25
V
μA
f CLK
Operating frequency
2.0
MHz
IGBT Control - See IGBT Driver on page 13
IBGT RISE
IBGT FALL
IGBT control voltage
rise time
IGBT control voltage
fall time
Pin IGBT_GATE, rise/falltime 10% - 90%,
V5V=5V, T AMB =25oC, VIN=3.7V, AS3635E,
load: 6.5nF (capacitor)
0.171
0.42
0.214 0.256
0.525 0.63
μs
μs
R IGBT_ON
I IGBT_SINK
IGBT switching on
resistance
IGBT Sink Current
T AMB =-30oC to 85oC
V IGBT_GATE below 2.3V;
T AMB =-30oC to 85oC
AS3635B
AS3635E
AS3635B
AS3635E
30
5
10
52
50
15
15
60
60
20
20
70
Ω
Ω
mA
mA
I IGBT_BOOST
IGBT Boost Current
V IGBT_GATE above 2.3V; T AMB =-30oC to 85oC
40
46
53
mA
Digital Interface
www.austriamicrosystems.com/AS3635
1.4-8
4 - 20
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